半导体杂质分析

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.材料纯度与痕量元素分析：体材料中重金属杂质（如铁、铜、镍、铬）、碱金属杂质（如钠、钾）、铀、钍等放射性元素含量。

2.表面金属污染物分析：硅片表面可移动离子污染（钠、钾、钙）、过渡金属污染（铁、铜、锌、镍）的定量分析。

3.体材料中轻元素分析：晶体硅中氧、碳、氮的浓度及分布状态测定。

4.工艺化学品杂质分析：高纯化学品（酸、碱、溶剂、过氧化氢）中阴离子（氯离子、硫酸根）、阳离子（金属离子）、颗粒及总有机碳含量。

5.气体杂质分析：特种气体（硅烷、磷烷、砷烷、氨气）及大宗气体（氮气、氩气、氢气）中水分、氧、一氧化碳、二氧化碳、烃类及颗粒物含量。

6.薄膜与涂层杂质分析：介电层、金属层、光阻层中掺杂元素浓度、杂质分布及界面污染分析。

7.有机物污染鉴定：表面有机残留物、空气中的分子污染物、塑化剂等有机化合物的定性定量分析。

8.颗粒污染分析：晶圆表面、工艺液体及气体中颗粒的数量、尺寸分布及化学成分鉴定。

9.掺杂均匀性与浓度分析：硼、磷、砷等掺杂剂在硅中的浓度分布、均匀性及激活率。

10.缺陷与杂质关联分析：晶体原生缺陷、氧化层错与特定杂质元素（如氧、金属）的关联性研究。

11.封装材料杂质分析：封装胶、焊料、基板材料中的卤素、硫化物及 alpha 粒子发射物质含量。

检测范围

单晶硅棒、抛光硅片、外延片、二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅薄膜、金属钨/铜/铝薄膜、光刻胶、显影液、蚀刻液、化学机械抛光液、高纯硫酸、高纯氢氟酸、高纯异丙醇、特种电子气体、键合丝、封装树脂、陶瓷基板、成品芯片、功率器件模块

检测设备

1.电感耦合等离子体质谱仪：用于测定液体及溶解后固体样品中ppt至ppb级别的痕量金属杂质，具备极高的灵敏度和多元素同时分析能力。

2.二次离子质谱仪：用于对材料表面及纵深方向进行微区成分分析，可获取杂质元素在纳米尺度的三维分布信息。

3.全反射X射线荧光光谱仪：专用于硅片等光滑表面上层金属污染物的无损、快速定量分析，检测限可达10的9次方原子每平方厘米。

4.气相色谱-质谱联用仪：用于分离并鉴定复杂混合物中的挥发性及半挥发性有机污染物，是分析有机物污染的关键设备。

5.离子色谱仪：用于精确测定高纯水、化学品及蚀刻后清洗液中的阴离子、阳离子及有机酸等杂质含量。

6.傅里叶变换红外光谱仪：主要用于测定硅体中间隙氧、替代碳等轻元素的浓度，也可用于部分有机官能团的定性分析。

7.辉光放电质谱仪：用于对导体及半导体固体材料进行从表面到体材料的深度成分分析，可直接测定包括轻元素在内的绝大多数元素。

8.激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪：结合了激光微区取样与质谱检测，可对材料进行原位、微区、高空间分辨率的杂质分布成像分析。

9.四极杆飞行时间串联质谱仪：用于对超痕量有机物及元素形态进行高分辨率、高准确度的定性与定量分析。

10.颗粒计数器：用于在线或离线检测液体及气体中颗粒的数量与尺寸分布，是监控工艺洁净度的必备工具。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质